芯片封裝
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FIB，聚焦離子束，使用聚焦良好的離子束對(duì)樣品進(jìn)行修改并且取得圖像。FIB主要是通過(guò)SEM、STEM、TEM成像之后，取得非常精確地樣品截面或者是執(zhí)行電路修改。
技術(shù)參數(shù)
• 電子束系統(tǒng)分辨率: 1.1nm(20kV)/1.5nm(10kV)/2.5nm(1kV)
• 離子束系統(tǒng)分辨率: 5nm(30kV,1pA)
• 電子束加速電壓: 0.1-30 kV
• 離子束加速電壓: 0.5-30 kV
• 電子束流: 4pA-100nA
• 離子束流: 1pA-50nA
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