研磨/減薄 • 支持：Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍寶石，陶瓷等 • 均勻性：±2um • 減薄厚度：≥100um 拋光 • 支持：Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍寶石，陶瓷等 • 表面粗糙度：1-50nm 激光切割 • 支持：Si基MEMS產品 • 樣品厚度：100-700μm • 切割寬度：≤10μm • 樣品尺寸：8寸（向下兼容） 刀片晶圓切割 • 支持：Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，電路板（8英寸卡盤，不同材料選用不同刀片） • 切割道寬度：≥50um 挑粒 • 處理尺寸：6、8寸原材料，可挑取最小150um的芯片 • 選件：提供背面、邊緣檢查選件，芯片翻轉選件 • UPH：700~1200，取決于產品
減薄、晶圓切割、挑粒
BGA封裝
QFN/DFN封裝
SOP8封裝
SOT封裝
TO封裝
COB封裝
陶瓷管殼封裝
芯片測試
【掃一掃，微信咨詢】
版權所有：蘇州硅時代電子科技有限公司 蘇ICP備20007361號-5 蘇公網安備 32059002003766號 技術支持：恩斯特網絡 昆山網站制作
芯片封裝
蘇公網安備 32059002003766號 技術支持：恩斯特網絡 昆山網站制作
